Дата и время

Ионно-плазменные установки серии РМ РТП


Комплект оборудования рабочего места РМ РТП предназначен для отработки технологии радиотехнических и терморегулирующих покрытий Конструкция установки обеспечивает осаждение покрытий с помощью трех магнетронов, электронно-лучевого испарителя, термических испарителей. Для получения высокой адгезии нанесенного слоя предусмотрен протяженных ионный источник. Все переходы технологического процесса имеют обратную связь при помощи систем датчиков с выходом информации на компьютер.

Внешний вид установки "РМ РТП"



Основные технические характеристики установки РМ РТП


параметры величина
Объем РК, м3 0,48
Предельное остаточное давление рабочей камеры, Па 1×10-4
Скорость вращения барабана, об/мин. 1- 95
Напряжение питания магнетронов, В 600
Максимальный ток магнетронного разряда, А 15
Размер мишени (катода) планарных магнетронов, мм 100×300
Ускоряющее напряжение источника очистки, кВ 3
Ток ионного пучка, А 1
Ускоряемые ионы газовые/td>
Число каналов подачи рабочего газа, шт. 4
Напряжение питающей сети, 3 фазы, 50,60 Гц, В 380
Максимальная потребляемая мощность установки, кВт 15
Расход охлаждающей воды, м3/час 1,5
Расход рабочего газа, л/час, не более 9
Габаритные размеры, в плане:
Вакуумная камера с насосами, мм
Шкафы управления, мм
1630 x 1470
800 x 600
800 x 600
Высота:
Вакуумная камера, мм
Шкафы управления, мм
2500
2200
Масса установки, кг 650
Установка РМ РТП введена в эксплуатацию в 2013г.