Ионно-плазменные установки серии АРМ УВК
Установки серии АРМ УВК предназначены для производства радиотехнических, терморегулирующих и многофункциональных покрытий на рулонных полимерых пленках в лентопротяжном устройстве ил на охлаждаемом барабане.
Конструкция установки обеспечивает следующие режимы обработки:
- нанесение покрытий методом магнетронного распыления;
- ионную очистку поверхности в цилиндрической камере;
- нанесение покрытий методом термического испарения.
В плоской камере осуществляется перемещение магнетронов, в цилиндрической - перемещение напыляемой поверхности относительно неподвижных магнетронов.
Технологии, к которым адаптирована установка в состоянии поставки, перечислены ниже:
- плазменные покрытия SiO2 (толщина порядка 10-100 нм) на алюминиевые подложки;
- прозрачные плазменные покрытия из широкозонных полупроводников типа ITO в сочетании с тонкой германиевой плёнкой на полимерную пленку ПМ-А толщиной 40-100 мкм;
- плазменные покрытия SiO2 в сочетании с Аl плёнкой, нанесённой испарением, на поверхность фторопластовых пленок толщиной 100 - 200 мкм;
- низкорезистивные прозрачные плазменные покрытия из широкозонных полупроводников типа ITO на полимерную пленку ПМ-А толщиной 40-100 мкм;
- двусторонние покрытия на плёнке ПМ-А (Al+SiO2 с одной стороны и ITO с другой);
- плазменные металлические покрытия Ag+(Ni-Cr) толщиной 80-100 нм на фторопластовые пленки толщиной 100 и 200 мкм;
- тонкие плазменные резистивные слои Ni-Cr на сотоблоки;
- алюминиевые покрытия на поверхность углепластикового основания рефлектора методом испарения.
Пример использования защитной пленки на поверхностях спутников


Основные технические характеристики установки АРМ УВК
Параметр | Величина |
Объём плоской рабочей камеры, м3 | 1,94 |
Объём цилиндрической рабочей камеры, м3 | 3,35 |
предельное остаточное давление рабочих камер, Па | 1,33x10-3 |
Скорость перемещения магнетронов в плоской камере, мм/с | 2 – 30 |
Напряжение питания магнетронов, В | 100 – 750 |
максимальный ток магнетронного разряда, А | |
Ускоряющее напряжение источника очистки, кВ | 2 |
Размер катодов магнетронов, мм | 700x100 |
Материал катодов | Токопроводные, немагнитные композиции, металлы и сплавы |
Вид ускоряемых ионов | Газовые |
Число каналов подачи рабочего газа, шт. | по 2 |
Напряжение питания сети, В | 380 – 220 |
Максимальная потребляемая мощность, кВт | 40 |
Расход охлаждающей воды, м3/час | 0,5 |
Расход рабочего газа, л/час | 5 – 7 |
Габаритные размеры в плане, мм | 4500x3000 |
Масса установки, кг | 3700 |
Основные технические характеристики установки АРМ УВК 2
параметры | величина |
Объем РК, м3 | 6,18 |
Предельное остаточное давление рабочей камеры, Па | 5×10-4 |
Скорость вращения барабана, об/мин. | 1- 95 |
Напряжение питания магнетронов, В | 100 - 750 |
Максимальный ток магнетронного разряда, А | 15 |
Размер мишени (катода) планарных магнетронов, мм | 100×700 |
Ускоряющее напряжение источника очистки, кВ | 2 |
Ускоряемые ионы | Газовые |
Напряжение питающей сети, 3 фазы, 50,60 Гц, В | 380 |
Максимальная потребляемая мощность установки, кВт | 60 |
Расход охлаждающей воды, м3/час | 0,5 |
Расход рабочего газа, л/час, не более | 9 |
Габаритные размеры | 6000 x 3500 |
Масса установки, кг | 2500 |